Номер детали производителя : | HS2J M4G |
---|---|
Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
Изготовитель / Производитель : | TSC (Taiwan Semiconductor) |
Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | HS2J M4G.pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | HS2J M4G |
---|---|
производитель | TSC (Taiwan Semiconductor) |
Описание | DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | HS2J M4G.pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.7V @ 2A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 600V |
Поставщик Упаковка устройства | DO-214AA (SMB) |
скорость | Fast Recovery = 200mA (Io) |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 75ns |
упаковка | Tape & Reel (TR) |
Упаковка / | DO-214AA, SMB |
Другие названия | HS2J M4G-ND HS2JM4G |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 150°C |
Тип установки | Surface Mount |
Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
Стандартное время изготовления | 8 Weeks |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Диод Тип | Standard |
Подробное описание | Diode Standard 600V 2A Surface Mount DO-214AA (SMB) |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 5µA @ 600V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 2A |
Емкостной @ В.Р., F | 30pF @ 4V, 1MHz |
DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AC
50NS, 2A, 400V, HIGH EFFICIENT R
50NS, 2A, 400V, HIGH EFFICIENT R
DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AC
Diodes - Rectifiers - Single SMA
DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA
DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA
DIODE GEN PURP 400V 2A SOD128
DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA
DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA